產(chǎn)品詳情
半導(dǎo)體熱特性試驗系統(tǒng)ST-PCX
陜西天士立科技有限公司
專注半導(dǎo)體檢測·電學(xué)檢測·可靠性檢測·老化實驗
半導(dǎo)體熱特性試驗系統(tǒng)ST-PCX
基礎(chǔ)能力
試驗對象
各種封裝的Diode、BJT、MOS-FET、SCR、IGBT、IPM等
試驗?zāi)芰?/b>
1. 功率循環(huán)秒級/PCsec
2. 功率循環(huán)分鐘級/PCmin
3. 被動循環(huán)/TC
4. 瞬態(tài)熱阻/Zth
5. 穩(wěn)態(tài)熱阻/Rth
6. K曲線/Kcurve
試驗標(biāo)準(zhǔn)
MIL-STD-750E、JEDEC、JESD51、AEC-Q101、AQG324、GJB128A、 IEC60747
物理規(guī)格及環(huán)境要求
1. 主機(jī)規(guī)格:200/W*136/D*150/H(cm)
2. 主機(jī)質(zhì)量:<600kg
3. 水冷卻機(jī):105/W*56/D*116/H(cm)
4. 水冷卻機(jī):<310kg
5. 環(huán)境溫度:5~40℃
6. 相對濕度:不大于80%RH
7. 電網(wǎng)環(huán)境:AC380V,三相五線(PC)
8. MAX功率:32KW
9. 供水要求:無雜質(zhì)自來水,<30℃
10. 接地保護(hù):整機(jī)需要接地保護(hù)
半導(dǎo)體熱特性試驗系統(tǒng)ST-PCX
性能規(guī)格
1. 一平臺兩試驗:一套設(shè)備同時進(jìn)行功率循環(huán)和熱測試。
2. 熱阻分析軟件:自主軟件,具有熱瞬態(tài)測試及結(jié)構(gòu)函數(shù)分析方法。
3. 結(jié)構(gòu)函數(shù)診斷,獲取循環(huán)過程中缺陷,對應(yīng)循環(huán)數(shù)及失效原因等。
4. 50pA分辨率的柵極電流測試能力,范圍500pA~100uA。
5. 柵極電壓電范圍-10V~+20V,分辨率0.1V,精度0.5%±0.25。
6. 加熱電流:0~3000A(可分檔選),500mA分辯率,精度0.1%±0.3%。最小脈寬500ms,50ms脈沖開啟,50us脈沖關(guān)閉。支持0~12V,Vce器件導(dǎo)通電壓。
7. 數(shù)據(jù)采集能力:3通道采集PCT和Z/Rth數(shù)據(jù)。每通道±12V輸入。每通道MAX10uV電壓分辨率,采樣時間1us、結(jié)溫精度0.01℃。
8. 7個熱電偶溫度測量點:左右液冷板出水口2個、左右冷板上方共2個、器件殼體3個、分辯率0.1℃,精度±1%/±0.5℃。
9. 數(shù)據(jù)監(jiān)測:記錄每個試驗通道的ICE、VCE@IH、VCE@IM、IGE、VGE、RthJc、ON\OFFTime、F(壓接型器件)循環(huán)數(shù),DeltaTj、Tjmax、Tjmin、出水口和器件外殼溫度等,可記錄數(shù)21000000次。
10. K系數(shù):電流0~2A,精度≦0.1%+5mA,分辨率0.1mA。VF量程0.02000V~4.00000V,精度:±0.01%,顯示精度:0.00001V。恒溫系統(tǒng)20~200°℃,精度±0.5℃,分辨率0.1°℃。
11. Zth/Rth:結(jié)溫測試采樣速度1MHz,VF測量MAX分辨率0.01mV,對應(yīng)測量結(jié)溫的精度是0.01°℃。殼溫測試采樣1KHz,精度±1%/±0.5℃??焖訇P(guān)斷,加熱電流可1ps內(nèi)去除。Zthjc,Zthja測試能力。Rth顯示范圍0.001~10.000。積分、微分結(jié)構(gòu)函數(shù)曲線。
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半導(dǎo)體熱特性試驗系統(tǒng)ST-PCX
性能規(guī)格·系統(tǒng)部件
液冷板
本設(shè)備配置3個液冷板,液冷板的尺寸:300*200mm
加熱電流
1. 3臺品牌電源
2. 輸出電壓范圍:0~10V,精度:額定電壓的0.05%
3. 輸出電流范圍:0~1000A,精度:額定電流的0.3%
4. 3臺電源并聯(lián)后,MAX輸出電流可達(dá)3000A
5. 該加熱電流源用于熱阻測試和功率循環(huán)
IM測試電流源
1. 數(shù)量:3路(每個通道對應(yīng)1路)
2. 電壓16V,電流10mA~1000mA,控制精度≦0.5/±0.2mA;n溫度范圍(TA/Ta/TC/TL):10.0℃~200℃,精度:0.2%±0.2℃
3. 該電流源用于穩(wěn)態(tài)熱阻測試、瞬態(tài)熱阻測試、功率循環(huán)
電壓測量單元
1. 數(shù)量:12套(每個器件對應(yīng)1套)
2. 電壓測量范圍:0.02V~4.000V
3. 分辯率:10uV;
4. 測量精度:≦±150uV(小于0.1mV±0.1%)
5. 采檢間隔時間:最小1us
輔助電源
1. 數(shù)量:12套(每個器件對應(yīng)1套)
2. 8套輔助電源均為不共地電源(浮地電源),每套電源包括1個-20V~+20V的可調(diào)電源
溫度測量裝置
1. 數(shù)量:24路(每個通道8路,共計24路)
2. 冷板:進(jìn)水口、出水口、平臺中心K型熱電偶監(jiān)測器件TC
3. 一組Tc用外接備用熱電偶
4. 預(yù)留溫度接口:每個通道預(yù)留3路溫度接口,可接Pt100、熱敏電阻等
5. 溫度測量范圍:0℃~200℃,精度:0.2%±0.2℃
工控機(jī)系統(tǒng)
1. 系統(tǒng)配置研華工控機(jī)一臺
2. CPU:I5-6200u
3. 硬盤:512G,至少可存儲連續(xù)試驗一年的測試數(shù)據(jù)
4. 內(nèi)存:4G
5. 顯示屏:21寸,分辯率:1920*1080高清
開關(guān)控制
1. 數(shù)量:3套
2. 用于熱阻測試和功率循環(huán)試驗時對加熱電流的開通和關(guān)斷;Ton/Toff時間:0.5秒~999秒
3. 小于50ms的脈沖開啟時間
4. 小于100us脈沖關(guān)閉時間
K系數(shù)測試單元
K系數(shù)獨立測試單元,包括一個溫度可程控的高溫試驗箱,一個K系數(shù)測試單元,一塊測試板。(可測MOSFET的K系數(shù),二極管的K系數(shù))
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半導(dǎo)體熱特性試驗系統(tǒng)ST-PCX
性能規(guī)格·熱阻單元
穩(wěn)態(tài)熱阻
1. 結(jié)溫和殼溫Rthjc=(Tj-Tc)/Pw;
2. 參考標(biāo)準(zhǔn):MIL-STD-750-3100
3. 測試電流:范圍10~1000mA,精度≤1%±0.1mA,分辨率0.1mA;
4. 加熱電流:范圍0~1000A,精度≤0.1%Set±0.3%range;,分辨率0.1A;
5. 正向壓降VF測量范圍:0.0200V~4.0000V,
6. 測量精度:≤±150uV,顯示精度:10uV;
7. 電壓測量頻率:1MHZ,每次取樣間隔時間:最小1us
8. 結(jié)溫測量精度:≤0.1℃
9. 恒溫系統(tǒng):范圍-20~200℃,穩(wěn)定度±0.01℃,分辨率0.01℃;
10. 溫度范圍(TA/Ta/TC/TL):10.0℃~200℃,精度:0.2%±0.2℃;
11. 每次最多只能對1個器件測量穩(wěn)態(tài)熱阻。
12. 測量方法:關(guān)斷加熱電流快速采樣電壓值,根據(jù)K系數(shù)曲線及采樣間隔時間,算關(guān)斷瞬間結(jié)溫值,測穩(wěn)態(tài)工作的TA/Ta/TL/TC值,得穩(wěn)態(tài)熱阻值。
瞬態(tài)熱阻
1. 雙界面法測量,參考標(biāo)準(zhǔn):JESD51-14
2. 測試電流:范圍10~1000mA,精度≤1%±0.1mA,分辨率0.1mA;
3. 加熱電流:范圍0~1KA,精度s0.1%Set±0.3% range;,分辨率0.1A;
4. 正向壓降VF測量范圍:0.0200V~4.0000V,
5. 測量精度:≤±150uV,顯示精度:10uV;
6. 電壓測量頻率:1MHZ,每次取樣間隔時間:最小1us
7. 結(jié)溫測量精度:≤0.1℃
8. 恒溫系統(tǒng):范圍-20~200℃,穩(wěn)定度±0.01℃,分辨率0.01℃;
9. Zthjc、Zthja測試能力;
10. 顯示積分、微分結(jié)構(gòu)函數(shù)曲線
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半導(dǎo)體熱特性試驗系統(tǒng)ST-PCX
性能規(guī)格·功率循環(huán)
1.設(shè)備能力
1. 整機(jī)配置3個測試通道,每個通道4顆器件,整機(jī)共可同時測試8顆器件
2. 測試電流:范圍10~1000mA,精度≦0.5%±0.2mA,分辨率0.1mA
3. 加熱電流:范圍0~1000A,精度≦0.1%±0.3%分辨率0.1A
4. 2通道并聯(lián)后可提供MAX2000A電流能力
5. 正向壓降VF測量范圍:0.0200V~4.0000V
6. 測量精度:≦±150uV,顯示精度:10uV
7. 電壓測量頻率:1MHZ,每次取樣間隔時間:最小1us
8. 具有秒級(PCsec)和分鐘級(PCmin)試驗?zāi)芰?
9. 試驗過程中測量瞬態(tài)熱阻,并生成微分積分結(jié)構(gòu)函數(shù),觀察試驗過程中熱阻變化情況。通過結(jié)構(gòu)函數(shù),快速得到循環(huán)過程中的缺陷、及對應(yīng)的 循環(huán)次數(shù),失效原因等
2.PCsec
1. 結(jié)溫測試:變速采樣,MAX1MHz,精度1℃,分辨率0.1℃
2. 殼溫測試:采樣速度1KHz,精度2℃,分辨率0.1℃
3. 典型條件:0.5s<tcycle<10s,Tjmax=150℃,ΔTjmax=80K,130,000cycles
4. 老化模式:恒電流(最嚴(yán)酷),恒定結(jié)溫Tjmax/ΔTjmax,恒定功率P
5. 數(shù)據(jù)記錄:加熱電流IH,Ton,Toff,Tjmax,ΔTj,Tjmin,進(jìn)水口、出水口溫度Tw,水流量F,冷板溫度,循環(huán)數(shù),熱阻值
3.PCmin
1. 結(jié)溫測試:變速采樣,MAX1MHz,精度1℃,分辨率0.1℃
2. 殼溫測試:采樣速度1KHz,精度2℃,分辨率0.1℃
3. 典型條件:2min<tcycle<6min,TCmin=25℃,ΔTjmax=80K,2,000~5,000cycles
4. 老化模式:恒電流(最嚴(yán)酷),恒定結(jié)溫TCmin/ΔTC,恒定功率P
5. 數(shù)據(jù)記錄:加熱電流IH,Ton,Toff,Tcmax,ΔTc,Tcmin,進(jìn)水口、出水口溫度Tw,水流量F,冷板溫度,循環(huán)數(shù),熱阻值
4.工作模式
多種工作模式:恒電流、恒功率、恒結(jié)溫差、恒殼溫差、恒開關(guān)時間
5.器件固定
導(dǎo)軌及鎖緊夾具。DUT與冷板之間需有導(dǎo)熱硅脂
半導(dǎo)體熱特性試驗系統(tǒng)ST-PCX
陜西天士立科技有限公司
專注半導(dǎo)體檢測·電學(xué)檢測·可靠性檢測·老化實驗