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        半導(dǎo)體分立器件靜態(tài)參數(shù)測試儀系統(tǒng)

        數(shù)量(套) 價格
        9999 259000.00元/套
        • 最小起訂: 1套
        • 發(fā)貨地址: 陜西 西安市
        • 發(fā)布日期:2024-04-24
        • 訪問量:200
        咨詢電話:131-8609-3180
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        陜西天士立科技有限公司

        實名認(rèn)證 企業(yè)認(rèn)證
        • 聯(lián)系人:王偉
        • 手機:13186093180
        • 電話:029-88225591
        • 營業(yè)執(zhí)照:已審核 營業(yè)執(zhí)照
        • 經(jīng)營模式: 生產(chǎn)加工-
        • 所在地區(qū):陜西 西安市
        • 家家通積分:747分

        更多>>推薦產(chǎn)品

        詳細(xì)參數(shù)
        品牌美瑞克型號STD2000
        類型電參數(shù)測量儀測量對象Diode,BJT,MOSFET,IGBT,SCR
        測量范圍0~2000V,0~200A測量精度0.1%
        頻率60功率1000W/MAX
        電源220v加工定制
        外形尺寸其他重量30kg
        產(chǎn)地陜西省西安市

        產(chǎn)品詳情



        一、產(chǎn)品信息及規(guī)格

        產(chǎn)品型號:STD2000

        產(chǎn)品名稱:半導(dǎo)體分立器件靜態(tài)參數(shù)測試儀系統(tǒng)

        主機尺寸:深660*430*210(mm)

        主機重量:<35kg

        主機功耗:<300W

        海拔高度:海拔不超過 4000m

        環(huán)境要求:-20℃~60℃(儲存)、5℃~50℃(工作);

        相對濕度: 20%RH75%RH (無凝露,濕球溫度計溫度 45℃以下)

        大氣壓力:86Kpa106Kpa;

        防護條件:無較大灰塵,腐蝕或爆炸性氣體,導(dǎo)電粉塵等;

        電網(wǎng)要求:AC220V、±10%、50Hz±1Hz;

        工作時間:連續(xù);

         

        二、產(chǎn)品特點

        三代半:優(yōu)秀的性能應(yīng)對第三代半導(dǎo)體及傳統(tǒng)器件,Si, sic,GaN 器件

        測試品類:覆蓋 25 類常見的電子元器件及 IC 類,且支持定制擴展

        功能豐富:輕松表征元器件“靜態(tài)特性”“IV 曲線”“Cb”“CV

        分析篩選:功能全面,配置豐富,勝任實驗室場景中各類電參數(shù)表征

         STD2000

        量產(chǎn)測試:1h高達 7K~12K 的測試效率,可連接“分選機”“編帶

        Prober 接口、16Bin。

        一鍵加熱:一鍵脈沖自動加熱至+130°C,耗時< 1s;

        高壓源:1400V (選配 2KV)

        高流源:40A(選配 100A,200A,500A)

        驅(qū)動電壓:20V/10uA~100mA (選配+40V/10uA~100mA)

        漏電測量:1nA 漏電持續(xù)穩(wěn)定測量,表現(xiàn)出優(yōu)秀 的一致性和穩(wěn)定性,

        更有1.5pA 微電流測量選件可供選擇。

        高精度:16 ADC/DAC,0.1%精度,1M/S 采樣速率. ü 程控軟件:基于 Lab VIEW 平臺開發(fā)的填充式菜單軟件界面:

        夾具工裝:適配各類封裝形式的器件,自動識別器件極性 NPN/PNP. ü 校準(zhǔn):系統(tǒng)自帶校準(zhǔn)軟件,也可通過 RS232 接口連接數(shù)字表進行校驗


         

        三、測試范圍

        01. Diode / 二極管(穩(wěn)壓、瞬態(tài)、三端

        肖特基、TVS、整流橋、三相整流橋)

        02. BJT / 三極管

        03. Mosfet & JFET / 場效應(yīng)管

        04. SCR / 可控硅(單向/雙向)

        05. IGBT / 絕緣柵雙極大功率晶體管

        06. OC / 光耦 07. Relay / 繼電器

        08. Darlington tube / 達林頓陣列

        09. Current sensor/電流傳感器

        10. 基準(zhǔn) IC(TL431)

        11. 電壓復(fù)位 IC

        12. 穩(wěn)壓器(三端/四端)

        13. 三端開關(guān)功率驅(qū)動器

        14. 七端半橋驅(qū)動器

        15. 高邊功率開關(guān)

        16. 電壓保護器(單組/雙組)

        17. 開關(guān)穩(wěn)壓集成器

        18. 壓敏電阻

        19.、 電壓監(jiān)控器

        四、測試參數(shù)

        漏電參數(shù):IR、ICBO、LCEO/S/XIDSS/X、IDOFF、IDRMIRRM、ICOFFIDGO、ICES、IGESF、IGESR、IEBOIGSSF、IGSSRIGSS、IGKO、IR(OPTO)

        擊穿參數(shù):BVCEO BVCES(300μS Pulse above 10mA)BVDSSVD、BVCBO、VDRM、 VRRM、VBBBVR 、VD+、VD-、BVDGO、BVZ、BVEBO、BVGSS、BVGKO

        導(dǎo)通參數(shù):VCESAT、VBESATVBEON、 VF、VT、VT+、VT-、VON、VDSON、VDON、VGSON、VF(Opto-Diode)VGSTH、VTMVGETH、VSD、IDON、VSAT、 IDON、VO(Regulator)Notch = IGT1、IGT4ICON、VGEONIIN(Regulator)

        關(guān)斷參數(shù):VGSOFF

        觸發(fā)參數(shù):IGT、VGT

        保持參數(shù):IH、IH+、IH-

        鎖定參數(shù):IL、IL+、IL-

        增益參數(shù):hFE、CTR、gFS

        間接參數(shù):IL

        混合參數(shù):RDSON、gFS、Input@Output / Regulation

        五、應(yīng)用場景

        1、測試分析(功率器件研發(fā)設(shè)計階段的初始測試,主要功能為曲線追蹤儀)

        2失效分析(對失效器件進行測試分析,查找失效機理。以便于對電子整機的整體設(shè)計和使用過程提出改善方案)

        3選型配對(在器件焊接至電路板之前進行全部測試,將測試數(shù)據(jù)比較一致的器件進行分類配對)

        4、來料檢驗(研究所及電子廠的質(zhì)量部(IQC)對入廠器件進行抽檢/全檢,把控器件的良品率)

        5、量產(chǎn)測試(可連接機械手、掃碼槍、分選機等各類輔助機械設(shè)備,實現(xiàn)規(guī)?;?、自動化測試)

        6替代進口(半導(dǎo)體分立器件靜態(tài)參數(shù)測試儀系統(tǒng)可替代同級別進口產(chǎn)品)

         

         

        六、性能指標(biāo)

         

         

         

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