BWDT-3022A

晶體管直流參數(shù)測試儀

一、產品基本信息

（1）產品名稱及用途

產品名稱：BWDT-3022A 晶體管直流參數(shù)測試儀

產品用途：滿足電子元器件靜態(tài)直流參數(shù)測試需求

（2）產品信息及規(guī)格環(huán)境

產品信息

產品型號：BWDT-3022A

產品名稱：晶體管直流參數(shù)測試儀；

物理規(guī)格

主機尺寸：深 305*寬 280*高 120(mm)

主機重量：＜5Kg

主機顏色：白色系

電氣環(huán)境 主機功耗：＜75W

環(huán)境要求：-20℃～60℃（儲存）、5℃～50℃（工作）

相對濕度：≯85%； 大氣壓力：86Kpa～106Kpa

防護條件：無較大灰塵，腐蝕或爆炸性氣體，導電粉塵等

電網(wǎng)要求：AC220V、±10%、50Hz±1Hz

工作時間：連續(xù)；

二、產品介紹

        BWDT-3022A 型晶體管直流參數(shù)測試儀是專為測試電子元器件的直流參數(shù)而設計。 可測試三極管、MOS 場效應管、J 型場效應管、整流二極管、三端肖特基整流器、三端 電壓穩(wěn)壓器和基準器 TL431，其良好的中文界面軟件，簡化了用戶對 BWDT-3022A 的操 作和編程。測試條件和測試參數(shù)一次快捷設定，并存入 EEPROM 中。不需附加任何其它 軟件，無需操作培訓,就可操作該儀器. BWDT-3022A 為三極管、MOS 場效應管、J 型場效應管、二極管等提供了 15 種最主 要參數(shù)的測試，以及參數(shù)”合格/不合格”(OK/NO)測試，用戶通過機器上的按鍵很容易的把 測試條件輸入進去，并將參數(shù)存入 EEPROM 中，便于日后方便且快速的打開調用。

三、產品特點

※ 大屏幕液晶,中文操作界面,顯示直觀簡潔,操作方面簡單

※ 大容量 EEPROM 存儲器,儲存量可多達 2000 種設置型號數(shù).

※ 全部可編程的 DUT 恒流源和電壓源

※ 內置繼電器矩陣自動連接所需的測試電路,電壓/電流源和測試回路

※ 高壓測試電流分辨率 1uA,測試電壓可達 1500V

※ 重復”回路”式測試解決了元件發(fā)熱和間歇的問題

※ 軟件自校準功能

※ 產品基于大規(guī)模微處理器,當用戶選定了設置好的型號時,在手動測試時,按下測試 開關,使測試機開始執(zhí)行功能檢測,自動測試過程將在 BWDT-3022A 的測試座上檢測 DUT 短路,開路或誤接現(xiàn)象,如果發(fā)現(xiàn),就立即停止測試。功能檢測主要目的是保護被測器件DUT 不因型號選錯而測壞

※ DUT 的功能檢測通過 LCD 顯示出被測器件/DUT 的類型(三極管,MOS 場管等),引腳 排列(P_XXX)測試方式(手動/自動)并繼續(xù)進行循環(huán)測試,顯示測試結果是否合格,并有聲光 提示

※ 在測試整流二極管時,BWDT-3022A 能自動識別引腳功能,并自動轉換矩陣開關進 行參數(shù)測試.測試后顯示對應引腳功能號

※ 兩種工作模式

1、自動模式：自動檢測有無 DUT 放于測試座中,有則自動處于重復測試狀態(tài),無則處 于重復檢測狀態(tài)；

 2、手動模式：（剛開始未測試時屏幕白屏屬正常現(xiàn)象）;當測試開關按下后自動對測 試座中的 DUT 進行檢測測試,長按開關不松開則處于重復測試狀態(tài),松開開關則自動停止測試

四、測試種類及參數(shù)注釋

1、BJT/三極管

(1)Vbe:Ib:表示測試三極管 VBE 壓降時的輸入電流.

(2)Vce:Bv:表示測試三極管耐壓 BVceo 時輸入的測試電壓.

(3)Vce:Ir:表示測試三極管耐壓 BVceo 時輸入的測試電流.

(4)HEF:Ic:表示測試三極管直流放大倍數(shù)的集電極電流.

(5)HEF:Vce:表示測試三極管直流放大倍數(shù)的集電極電壓

(6)Vsat:Ib:表示測試三極管飽和導通壓降時輸入基極的電流.

(7)Vsat:Ic:表示測試三極管飽和導通壓降時輸入集電極的電流.

(8)Vb:表示三極管的輸入壓降 VBE.

(9)VCEO:表示三極管的耐壓(BVceo).

(10)HEF:表示三極管的直流放大倍數(shù)(HEF).

(11)Vsat:表示三極管的飽和導通壓降(VCEsat).

(12)TestModel:Auto :表示設置為自動識別測試.

(13)TestModel:Manual :表示設置為手動測試.

2、MOSFET/場效應管

(1)Vth:ID:表示測試場效應管柵極啟動電壓(Vgs(th))的輸入電流.

(2)Vds:Bv:表示測試場效應管耐壓(BVdss)時的測試電壓.

(3)Vds:Ir:表示測試場效應管耐壓(BVdss)時的測試電流.

(4)Rs:Vg:表示測試場效應管內阻(Rson)時加在柵極的電壓.

(5)Rs:ID:表示測試場效應管內阻(Rson)時的測試電流.

(6)Vth:表示場效應管的啟動電壓(Vgs(th)).

(7)Bvds:表示場效應管的耐壓(BVdss).

(8)Rs:表示場效應管的導通內阻(Rdson)

(9)Igss:OG:表示測試場管輸入端 G 極的電容漏電特性，該設置數(shù)據(jù)為延時時間數(shù)，利 用延時設定時間后 VGS 電壓的保持量來測漏電特性。

(10)Test:T:表示測試多少次后就停止測試?？稍O定到 9999 次。

3、JFTE/結型場效應管

(1)Ids:Vd 表示測試結型場效應管漏極飽和電流(Idss)加在 D 極和 S 極的電壓(Vds)

(2)Vds:Bv 表示測試結型場效應管耐壓(BVdss)時的測試電壓.

(3)Vr:Ir 表示測試結型場效應管耐壓(BVdss)時的測試電流.

(4)Voff:Vd 表示測試結型場效應管阻斷電壓(Vgs(off))加在 D 極和 S 極的電壓(Vds).

(5)Voff:Id 表示測試結型場效應管阻斷電壓(Vgs(off))加在 D 和 S 的電流.

(6)Is:表示結型場效應管的漏源飽和電流(Idss),在 GS=0V 的條件下測得.

(7)Bvds:結型場效應管在關斷時的擊穿電壓.

(8)Vof:結型場效應管的阻斷電壓(VGS(off)).

(9)gm:結型場效應管的跨導系數(shù),即導通內阻的倒數(shù).

4、三端穩(wěn)壓 IC

(1)Vo:Vi 表示測試三端穩(wěn)壓時的輸入測試電壓.

(2)Vo:Vi 表示測試三端穩(wěn)壓時加在輸出端的負載電流

(3)Vo:表示三端穩(wěn)壓的輸出電壓數(shù).

5、基準 IC

(1)Vz:Iz 表示測試基準 IC 時的輸入測試電流.

(2)Vz:表示基準 IC 的穩(wěn)定電壓數(shù)

6、整流二極,三端肖特基整流器

(1)VF:IF 表示測試三端肖特正向壓降 VF 的測試電流.

(2)Vr:Bv 表示測試三端肖特反向耐壓(VRRM)的測試電壓.

(3)Ir:Fu 表示測試時反向漏電流參數(shù)是否要測，設大于 0 為開啟該項參數(shù)。

(4)Vr:Ir 表示測試三端肖特反向耐壓(VRRM)的測試電流.

(5)VF1:表示測試三端肖特正向壓降 1. (5)VF2:表示測試三端肖特正向壓降

                                          BW-3022A測試技術指標：

1、 整流二極管,三端肖特基:

耐壓(VRR)測試指標

測試范圍	分辨率	精度	測試條件
0-1600V	2V	+/-2%	0-2.000mA

導通正向壓降(VF)

測試范圍	分辨率	精度	測試條件
0-2.000V	2mV	+/-2%	0-2.000A

2 、N型三極管

輸入正向壓降(Vbe)

測試范圍	分辨率	精度	測試條件
0-2.000V	2mV	+/-2%	0-2.000A

耐壓(Bvceo)測試指標

測試范圍	分辨率	精度	測試條件
0-1600V	2V	+/-5%	0-2.000mA

直流放大倍數(shù)(HEF)

測試范圍	分辨率	精度	測試條件
0-12000	1	+/-2%	0-2.000A(Ic) 0-20V(Vce)

輸出飽和導通壓降(Vsat)

測試范圍	分辨率	精度	測試條件
0-2.000V	2mV	+/-2%	0-2.000A(Ib) 0-2.000A(Ic)

3、P型三極管

輸入正向壓降(Vbe)

測試范圍	分辨率	精度	測試條件
0-2.000V	2mV	+/-2%	0-2.000A

耐壓(Bvceo)測試指標

測試范圍	分辨率	精度	測試條件
0-1600V	2V	+/-5%	0-2mA

直流放大倍數(shù)(HEF)

測試范圍	分辨率	精度	測試條件
0-3000	1	+/-2%	100uA(Ib) 5V(Vce)固定

輸出飽和導通壓降(Vsat)

測試范圍	分辨率	精度	測試條件
0-2V	2mV	+/-2%	0-2.000A(Ib) 0-2.000A(Ic)

4、N,P型MOS場效應管

輸入啟動電壓(VGS(th))

測試范圍	分辨率	精度	測試條件
0-20.00V	20mV	+/-2%	0-2.000mA

耐壓(Bvds)測試指標

測試范圍	分辨率	精度	測試條件
0-1500V	2V	+/-5%	0-2mA

導通內阻(Rson)

測試范圍	分辨率	精度	測試條件
0-9999MR	0.1MR	+/-5%	0-20.00V(VGS) 0-2.000A(ID)
10R-100R	0.1R	+/-5%	0-20.00V(VGS) 0-2.000A(ID)

5、三端穩(wěn)壓IC

輸出電壓(Vo)

測試范圍	分辨率	精度	測試條件
0-20.00V	20mV	+/-2%	0-20.00V(VI) 0-1.000A(IO)

6、基準IC 431

輸出電壓(Vo)

測試范圍	分辨率	精度	測試條件
0-20.00V	20mV	+/-2%	0-1A(Iz)

7、結型場效應管

漏極飽和電流(Idss)

測試范圍	分辨率	精度	測試條件
0-40mA	40uA	+/-2%	0V(VGS) 0-20V(VDS)
40-400mA	400uA	+/-2%	0V(VGS) 0-20V(VDS)

耐壓(Bvds)測試指標

測試范圍	分辨率	精度	測試條件
0-1600V	2V	+/-5%	0-2mA

夾斷電壓(Vgs(off))

測試范圍	分辨率	精度	測試條件
0-20.00V	0.2V	+/-5%	0-20V(VDS) 0-2mA(ID)

共源正向跨導(gm)

測試范圍	分辨率	精度	測試條件
0-99mMHO	1mMHO	+/-5%	0V(VGS) 0-20V(VDS)

8、雙向可控硅

導通觸發(fā)電流(IGT)

測試范圍	分辨率	精度	測試條件
0-40.00mA	10uA	+/-2%	0-20.00V(VD) IT(0-2.000A)

導通觸發(fā)電壓(VGT)

測試范圍	分辨率	精度	測試條件
0-2.000V	2mv	+/-2%	0-20.00V(VD) IT(0-2.000A)

耐壓(VDRM/VRRM)

測試范圍	分辨率	精度	測試條件
0-1500V	2V	+/-5%	0-2.000mA

通態(tài)壓降(VTM)

測試范圍	分辨率	精度	測試條件
0-2.000V	2mV	+/-2%	0-2.000A(IT)

保持電流(IH)

測試范圍	分辨率	精度	測試條件
0-400mA	0.2mA	+/-5%	0-400Ma(IT)