賽米控IGBT模塊SKiiP3614GB17E4-6DUL

金風 華銳 聯(lián)合動力 國電 遠景 龍源 韻達 西門子歌美颯 維斯塔斯風電變頻器IGBT模塊  電容 二極管 可控硅

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SKIIP2414GB17E4-4DUK310

2XSKIIP2414GB17E4-4DUK1273是一款風電 光伏新能源 逆變器 變頻器智能IGBT模塊

SkiiP® 4 IGBT模塊的設(shè)計和性能。新型IGBT模塊中采用無基板的直接銅鍵合 (DBC) 概念，配備高性能冷卻器（散熱片）。這樣一來，由四個半橋組成的功率模塊SKiiP2414GB17E4-4DUHP的電流開斷能力提高了25%，能在1700 V的電壓條件下輕松開斷IGBT上明顯高于2400 A的電流

SKiiP 2414 GB17E4-4DUW V2

2XSKIIP1013GB172-2DFK0108
SKIIP1013GB172-2D

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SKiiP模塊產(chǎn)品特點 北京京誠宏泰科技有限公司賽米控IGBT模塊SKiiP3614GB17E4-6DUL
4合1：功率IPM  驅(qū)動器、功率半導體、高精度電流傳感器和高性能冷卻風冷或水冷（HPC）
完全組裝和老化測試
高功率密度
采用了燒結(jié)技術(shù)，功率循環(huán)能力提高了2-3倍(SKiiP 4)
性能比傳統(tǒng)水冷卻器高25%。用于SKiiP 4的高性能冷卻（HPC），單側(cè)和雙側(cè)安裝在HPC水冷器上
來自賽米控高度集成的IPM-IGBT模塊--北京京誠宏泰科技有限公司
SKiiP（SEMIKRON智能功率模塊）將IGBT模塊，驅(qū)動和散熱集于一身。生產(chǎn)結(jié)束后的全性能測試（包括一個小時的老化測試）確保了應用的高可靠性。 北京京誠宏泰科技有限公司銷售賽米控IGBT模塊SKiiP3614GB17E4-6DUL
SKiiP IPM 1200V和1700V產(chǎn)品系列為高性能和高可靠的逆變器設(shè)計樹立了基準。 SKiiP 3和SKiiP 4均具有高功率密度，并結(jié)合了靈活的散熱選項（風冷或水冷）以及定制的散熱器。集成了電流傳感器和全功能保護的可靠驅(qū)動技術(shù)完善了IPM的設(shè)計。
SKiiP 3在工業(yè)傳動領(lǐng)域得到廣泛應用。憑借其全橋或半橋拓撲，它涵蓋了從500A到2400A的電流范圍。
SKiiP 4具有半橋拓撲結(jié)構(gòu)，并根據(jù) 功率循環(huán)要求進行了優(yōu)化，涵蓋了高達3600A的電流范圍。
SKiiP模塊 的關(guān)鍵特性
集成驅(qū)動、功率模塊和散熱器
集成溫度測量
集成精準的電流傳感器
集成直流母線監(jiān)測
SKiiP4包含可配置和讀取的CAN總線
免焊接的燒結(jié)技術(shù)SKiiP 4
SKiiP IGBT模塊 的優(yōu)勢 北京京誠宏泰科技有限公司

得益于銀燒結(jié)和高性能冷卻器技術(shù)，SKiiP提高了對苛刻的電源循環(huán)條件的可靠性。與傳統(tǒng)的焊接方法相比，燒結(jié)技術(shù)延長了工作壽命，提高了對主動和被動熱循環(huán)的彈性。
SKiiP 4數(shù)字驅(qū)動器降低了設(shè)計復雜性也減少了昂貴元件的使用，它保證了開關(guān)信號和參數(shù)測量的安全隔離。除了高可靠性設(shè)計，SKiiP 4驅(qū)動器還包括CAN-bus功能。
SKiiP IPM產(chǎn)品系列為高性能和穩(wěn)健的逆變器設(shè)計樹立了一個基準。SKiiP 3和SKiiP 4都具有高功率密度，結(jié)合靈活的冷卻選項，如風冷和水冷卻或定制的散熱器?？煽康尿?qū)動技術(shù)、集成的電流傳感器和全面的保護功能完善了IPM的設(shè)計。北京京誠宏泰科技有限公司銷售賽米控IGBT模塊SKIIP2414GB17E4-4DUW西門康IPM模塊
SKiiP 3在工業(yè)驅(qū)動領(lǐng)域得到了廣泛的推廣。憑借其三相全橋和半橋拓撲結(jié)構(gòu)，它涵蓋的電流范圍從500A到2400A。
SKiiP 4采用半橋拓撲結(jié)構(gòu)，它已針對 功率循環(huán)要求進行了優(yōu)化，涵蓋了高達3600A的更高功率范圍。它是市場上智能電源模塊

SKiiP1803GB172-3DW V3

IGBT  北京京誠宏泰科技有限公司銷售供應賽米控IGBT模塊SKiiP3614GB17E4-6DUL

IGBT是什么？
IGBT即絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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IGBT與MOSFET的對比
MOSFET全稱功率場效應晶體管。它的三個極分別是源極（S）、漏極（D）和柵極（G）。
優(yōu)點：熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大。
缺點：擊穿電壓低，工作電流小。
IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管，是MOSFET和GTR（功率晶管）相結(jié)合的產(chǎn)物。它的三個極分別是集電極（C）、發(fā)射極（E）和柵極（G）。
特點：擊穿電壓可達1200V，集電極最大飽和電流已超過1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達250kVA以上，工作頻率可達20kHz。
IGBT的典型應用
電動機
不間斷電源
太陽能面板安裝
電焊機
電源轉(zhuǎn)換器與反相器
電感充電器
電磁爐

SKiiP 2414 GB1 7E4-4DPVW V2
SKiiP 2414 GB1 7E4-4DPVL V2
SKiiP 2414 GB1 7E4-4DUHP

SKiIP 2414 GB17E4-4DUHP323

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SKiiP1213GB123-2DW V3
SKiiP1813GB123-3DL V3
SKiiP1813GB123-3DW V3
SKiiP2413GB123-4DL V3
SKiiP2413GB123-4DW V3
SKIIP1013GB172-2DK0203
SKiiP1814GB12E4-3DUL
SKiiP1814GB12E4-3DUW
SKiiP2414GB12E4-4DUL
SKiiP2414GB12E4-4DUW
SKiiP3614GB12E4-6DUL