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        英飛凌IGBT模塊FZ2400R17HE4P-B9

        數(shù)量(個) 價格
        100 9999.00元/個
        • 最小起訂: 1個
        • 發(fā)貨地址: 北京 昌平區(qū)
        • 發(fā)布日期:2024-12-27
        • 訪問量:163
        咨詢電話:186-1208-4398
        打電話時請告知是在機(jī)電之家網(wǎng)上看到獲取更多優(yōu)惠。謝謝!
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        北京京誠宏泰科技有限公司

        實(shí)名認(rèn)證 企業(yè)認(rèn)證
        • 聯(lián)系人:周先生
        • 手機(jī):18612084398
        • 電話:-15010040708
        • 營業(yè)執(zhí)照:已審核 營業(yè)執(zhí)照
        • 經(jīng)營模式: 經(jīng)銷商-私營有限責(zé)任公司
        • 所在地區(qū):北京 昌平區(qū)
        • 家家通積分:27110分
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        詳細(xì)參數(shù)
        品牌INFINEON型號FZ2400R17HE4P-B9
        用途前置(輸入級)封裝外形螺絲型
        材料ALGaAS鋁鎵砷相數(shù)三相
        控制方式脈沖寬度調(diào)制(PWM)主電路形式單端式
        頻率中頻加工定制
        導(dǎo)電溝道N溝道導(dǎo)電方式增強(qiáng)型
        極間電容0.3開啟電壓15
        夾斷電壓-15最大漏極電流0.3
        低頻噪聲系數(shù)0.1最大散熱功率0.85
        產(chǎn)品認(rèn)證UL產(chǎn)地德國

        產(chǎn)品詳情

        英飛凌IGBT模塊FZ2400R17HE4P-B9

        北京京誠宏泰科技有限公司銷英飛凌IGBT模塊FZ2400R17HE4P-B9

        產(chǎn)品詳細(xì)信息
        Infineon FZ1500R33HL3_S2單開關(guān) IGBT 模塊配有 TRENCHSTOP ? IGBT3和發(fā)射器控制的 3 二極管。此模塊具有高功率密度和 AlSiC 基板,用于提高熱循環(huán)能力。
        VCES 為 3300 V
        IC 標(biāo)稱值為 1500 A
        ICRM 為 3000 A
        它可保持高電流密度

        產(chǎn)品特征描述:

        1. 提高工作溫度Tvj op
        2. 低開關(guān)損耗
        3. 低 VCEsat
        4. Tvj op = 150°C
        5. 4 kV 交流 1 分鐘絕緣
        6. 封裝的 CTI > 400
        7. 高爬電距離和電氣間隙
        8. 銅基板
        9. UL 認(rèn)證

        產(chǎn)品優(yōu)勢:

        • 高功率密度
        • 標(biāo)準(zhǔn)封裝

        第4代IGBT芯片結(jié)構(gòu)從平面柵結(jié)構(gòu)發(fā)展為溝槽柵結(jié)構(gòu)。第5代IGBT芯片在溝槽柵IGBT的基礎(chǔ)上增加了電荷存儲層,也即CSTBT?結(jié)構(gòu),改善了關(guān)斷損耗和集電極發(fā)射極飽和壓降的折衷關(guān)系,

        降低功率損耗。在此基礎(chǔ)上,第6代和第7代IGBT芯片不斷優(yōu)化芯片結(jié)構(gòu),減薄晶圓厚度,損耗得到進(jìn)一步的降低。


        IGBT
        IGBT是什么?
        IGBT即絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
        IGBT與MOSFET的對比
        MOSFET全稱功率場效應(yīng)晶體管。它的三個極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。
        北京京誠宏泰科技有限公司銷售英飛凌IGBT模塊FZ2400R17HE4P-B9
        優(yōu)點(diǎn):熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大。
        缺點(diǎn):擊穿電壓低,工作電流小。
        IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管,是MOSFET和GTR(功率晶管)相結(jié)合的產(chǎn)物。它的三個極分別是集電極(C)、發(fā)射極(E)和柵極(G)。
        北京京誠宏泰科技有限公司供應(yīng)英飛凌IGBT模塊FZ2400R17HE4P-B9
        特點(diǎn):

        擊穿電壓可達(dá)1200V,集電極飽和電流已超過1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達(dá)250kVA以上,工作頻率可達(dá)20kHz。
        IGBT的典型應(yīng)用
        電動機(jī)
        不間斷電源
        太陽能面板安裝
        電焊機(jī)
        電源轉(zhuǎn)換器與反相器
        電感充電器
        電磁爐

        北京京誠宏泰科技有限公司銷售西門子SIEMENS

        6SL3912、6SL3983、6SB2071、6SL3955、6SL3995、避雷器、互感器、電容、晶閘管、IGBT、驅(qū)動板
        中壓變頻備件器、電源、操作面板、隔離開關(guān)、風(fēng)機(jī)及其他系列;GH180羅賓康A(chǔ)1A/ASE((電路板、控制板、模塊)、LDZ(功率單元、模塊、互感器)等
        變頻器等備件 北京京誠宏泰科技有限公司
        產(chǎn)品備件;
        6SE70變頻器:6SE70驅(qū)動/功率/接口板、6SY7000電容、6SY7010晶閘管
        SIEMENS 北京京誠宏泰科技有限公司
        M440/M430變頻器及備件;
        低壓傳動 北京京誠宏泰科技有限公司供應(yīng)英飛凌IGBT模塊FZ2400R17HE4P-B9
        S120變頻器:IGD A5E控制板﹔6RA直流調(diào)速器:6RA80、6RX、6RY17/18等備件。
        工業(yè)通訊及 北京京誠宏泰科技有限公司
        A5EO8混合電纜;LDS備件A5E002/003等系列;
        分析儀 北京京誠宏泰科技有限公司
        電源產(chǎn)品
        6EP19、6EP13、A5E30947477、A5E31006890、6EP1536-3AA00等系列;
        低壓電器
        3TC4、3TH4、3RA6、3UG4、3RP2、3RS1、3RN2、3RQ、3RB等系列;
        6BK、6DD、6DL、6DP及西門子各類系統(tǒng)軟件等備件;
        其他類
        ABB變頻器配件 晶閘管可控硅 傳感器 電容 IGBT IGCT 流互感器(ES2000、ESM2000)、

        3300V IGBT模塊型號:

        FZ1000R33HL3_S2
        FZ1500R33HL3_S2
        FF200R33KF2C
        FZ400R33KF2C
        FZ800R33KF2C
        FZ1200R33KF2C
        IGBT模塊FZ1000R33HL3
        IGBT模塊FZ1000R33HE3
        IGBT模塊FZ1200R33HE3
        IGBT模塊FZ1500R33HE3

        北京京誠宏泰科技有限公司供應(yīng)英飛凌IGBT模塊FZ2400R17HE4P-B9
        IGBT模塊FZ1500R33HL3
        IGBT模塊FZ1600R33HE4
        IGBT模塊FZ1400R33HE4
        IGBT模塊FZ2400R33HE4
        IGBT模塊FF450R33T3E3
        IGBT模塊FZ825R33HE4D

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