IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。

主要經(jīng)銷德國Infineon英飛凌、EUPEC優(yōu)派克、SIEMENS西門子、西門康Semikron，IXYS艾賽斯、Mitsubishi三凌、Fuji富士、SanRex三社、TOSHIBA東芝、HITACHI日立、POWERSEM、Vishay、danfoss丹佛斯、DYNEX丹尼克斯、Sanken三肯、美國IR、NELL尼爾；yaskawa安川；英國西瑪，西班牙CATELEC等公司生產(chǎn)的IGBT、IGCT、IPM、PIM、可控硅、GTO、GTR達(dá)林頓、整流橋、二極管、場效應(yīng)模塊；日本富士（FUJI）、日之出（HINODE）、法國羅蘭（FERRAZ）、英國GOULD、美國BUSSMANN快速熔斷器；日本日立、黑金剛NIPPON chemi-con、尼吉康nichicon；紅寶石，epcos艾普科斯、瑞典RIFA力發(fā)、美國BHC電解電容及美國CDE無感電容；ConCEPT IGBT驅(qū)動(dòng)模塊、光耦、變頻器主控板、驅(qū)動(dòng)板，操作面板及延長電纜等配件以及富士制動(dòng)單元公司經(jīng)營的電力功率模塊。
主要用于航天航空，機(jī)場設(shè)施，電機(jī)調(diào)速，礦山焊機(jī)，船舶艦艇，通用變頻器、高壓變頻器、伺服驅(qū)動(dòng)器、UPS、變頻與傳動(dòng)、電動(dòng)汽車、電力系統(tǒng)無功補(bǔ)償裝置UPS逆變器/UPS/EPS、風(fēng)電變流器、變頻空調(diào)、光伏變流、機(jī)車主牽引變流器、電梯變頻器、起重專用變頻器、石油鉆井、感應(yīng)加熱、電源電鍍/電解電源、有源濾波/無功補(bǔ)償、機(jī)車輔助逆變器、逆變焊機(jī)；
上海鉑古電子科技有限公司在逆變焊機(jī)、不間斷電源UPS、Inverter變頻器、數(shù)控伺服、電動(dòng)汽車、風(fēng)力太陽能發(fā)電等領(lǐng)域與客戶戰(zhàn)略合作，全力支持國內(nèi)電力電子工業(yè)發(fā)展！
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