產(chǎn)品詳情
砷化鎵具有比硅更高的電子遷移率，因此多數(shù)載流子也移動(dòng)得比硅中的更快哈默納科離子設(shè)備諧波CSF-32-50-2A-GR。砷化鎵也有減小寄生電容和信號(hào)損耗的特性。這些特性使得集成電路的速度比由硅制成的電路更快。GaAs器件增進(jìn)的信號(hào)速度允許它們?cè)谕ㄐ畔到y(tǒng)中響應(yīng)高頻微波信號(hào)并精確地把它們轉(zhuǎn)換成電信號(hào)。硅基半導(dǎo)體速度太慢以至于不能哈默納科離子設(shè)備諧波CSF-32-50-2A-GR響應(yīng)微波頻率。砷化鎵的材料電阻率更大，這使得砷化鎵襯底上制造的半導(dǎo)體器件之間很容易實(shí)現(xiàn)隔離，不會(huì)產(chǎn)生電學(xué)性能的損失。
去離子水:在半導(dǎo)體制造過(guò)程中廣泛使用的溶劑，在它里面沒(méi)有任何導(dǎo)電的離子。DI Water的PH值為7，既不是酸也不是堿，是中性的。它能夠溶解其他物質(zhì)，包括許多離子化合物和供價(jià)化合物。當(dāng)水分子（H2O)溶解離子化哈默納科離子設(shè)備諧波CSF-32-50-2A-GR合物時(shí)，它們通過(guò)克服離子間離子鍵使離子分離，然后包圍離子，最后擴(kuò)散到液體中。
