產(chǎn)品詳情
常用的干法等離子體反應(yīng)器類型包括圓筒式等離子體反應(yīng)器、平板式反應(yīng)器、日本HD離子設(shè)備諧波CSF-50-160-2UH順流刻蝕系統(tǒng)、三級平面反應(yīng)器、離子銑、反應(yīng)離子刻蝕器、高密度等離子體刻蝕機(jī)等。
圖2.19所示為由平板反應(yīng)器構(gòu)成的平板等離子刻蝕機(jī)系統(tǒng)日本HD離子設(shè)備諧波CSF-50-160-2UH。反應(yīng)器有兩個(gè)大小和位置對稱的平行金屬板，硅片背面朝下放置于接地的陰極上面，RF信號加在反應(yīng)器的上電極。由于等離子體電勢高于地電勢，因此這是一種帶能離子進(jìn)行轟擊的等離子體刻蝕模式。一個(gè)刻蝕系統(tǒng)的能力及控制方法對成功加工硅片非常關(guān)鍵。
早期濕法腐蝕主要用于硅片刻蝕，現(xiàn)在濕法腐蝕的功能大部分被干法刻蝕代替。目前濕法腐蝕主要用于漂去氧化物、去除殘留物、表層剝離，以及較大特征尺寸的圖形腐蝕。濕法腐蝕設(shè)備較為簡單，日本HD離子設(shè)備諧波CSF-50-160-2UH通常使用一個(gè)液體槽，采用浸泡或噴射的方法批量處理硅片。
濕法腐蝕設(shè)備的主要控制參數(shù)包括溶液濃度、浸泡時(shí)間、腐蝕槽的溫度、溶液槽的攪動(dòng)、處理硅片的批次等。
