大功率可控硅靜態(tài)動態(tài)參數(shù)綜合測試系統(tǒng)SCRD8000

陜西天士立科技有限公司

專注半導(dǎo)體檢測·電學(xué)檢測·可靠性檢測·老化實驗

大功率可控硅靜態(tài)動態(tài)參數(shù)綜合測試系統(tǒng)SCRD8000

基礎(chǔ)信息

1. 門極觸發(fā)：VGT、IGT

2. 維持電流：IH、IL

3. 阻斷參數(shù)：VD、VR、ID、IR

4. 壓降參數(shù)：VTM、ITM

5. 電壓上升率：dv/dt

6. 電流變化率：di/dt

7. 關(guān)斷時間：Tq

8. 恢復(fù)電荷：Qr、Irr、Trr

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大功率可控硅靜態(tài)動態(tài)參數(shù)綜合測試系統(tǒng)SCRD8000

主要量程

1. 陽極電壓：12V

2. 陽極串聯(lián)電阻：12Ω

3. 門極觸發(fā)電壓：0.3—5.00V

4. 門極觸發(fā)電流：1—500mA

5. 維持電流：1—500mA

6. 擎住電流：5—1000mA

7. 通態(tài)電流：600—8000A

8. 通態(tài)壓降：0.3—9.99V

9. 阻斷電壓：200—8000V

10. 正反向漏電流：1—250mA

11. dv/dt箝位電壓VDM：500~4KV

12. 電壓上升率：200V/μS、500V/μS、1000V/μS、1500V/μS

13. 通態(tài)電流：200—2000A

14. 反向電壓：50—200V

15. 再加電壓：500—3000V

16. 關(guān)斷時間：4—1500μS

17. 反恢電荷：200μQ—15000μQ

18. 再加電壓上升率：30V/μS、50V/μS、100V/μS

19. di/dt：10A/μS、20A/μS

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氣動夾具

1. 壓力方式：氣壓

2. 壓力范圍：10~60KN

3. 壓力分辨率：0.1KN

4. 控溫范圍：70~180℃

5. 控溫精度：70℃—125℃±1.0℃

6. 控溫精度：125℃—180℃±1.5℃

7. 溫度分辨率：0.1℃

8. 夾頭耐壓：10KV

9. 夾頭行程：≥80mm

10. 臺面直徑：大于Φ130mm

11. 夾頭找平：≥1mm

12. 夾頭平面度：≤20μm

13. 導(dǎo)柱間跨距：≥310mm

14. 夾頭最大電流：10000A

15. 夾頭極性：上為陰極，下為陽極

16. 采樣：上下夾頭采樣頂針同軸

17. 電源：AC50HZ/220V功率≤5KW

18. 夾具可安裝適配器，應(yīng)對不同封裝

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系統(tǒng)單元

1. 門極觸發(fā)參數(shù)測試單元

2. 維持電流測試單元

3. 擎住電流測試單元

4. 阻斷參數(shù)測試單元

5. 通態(tài)壓降參數(shù)測試單元

6. 電壓上升率參數(shù)測試單元

7. 關(guān)斷時間參數(shù)測試單元

8. 恢復(fù)電荷參數(shù)測試單元

9. 自動熱穩(wěn)態(tài)壓力夾具

10. 計算機(jī)控制系統(tǒng)

11. PLC控制系統(tǒng)

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性能指標(biāo)

通態(tài)壓降測試

1. 通態(tài)電流：600—8000A±3%±10A

2. 通態(tài)壓降：0.3—9.99V±3%±10mV

3. 電流達(dá)到電流峰值的時間：≥5ms

4. 可測設(shè)定前沿電流和后沿電流的壓降。可測門檻電壓和斜率電阻

5. （此功能由單獨“通態(tài)特性曲線”測試程序完成）

6. 測試頻率：單次

7. 計算機(jī)顯示：ITM/IFM，VTM/VFM數(shù)值

dv/dt測試

1. dv/dt箝位電壓VDM：500—4000V，數(shù)碼設(shè)定，數(shù)字表顯示

2. dv/dt箝位電壓VDM靜態(tài)精度：±5%

3. 電壓上升率：200V/μS、500V/μS、1000V/μS、1500V/μS

4. 電壓上升率誤差：±10%（在再加電壓2000V（負(fù)載電容2.2nF）

5. 下作為考核點）最大過壓時間超過0.5us的瞬態(tài)電壓＜200V

6. 信號指示：具有測試信號指示、通過指示、失敗指示

7. 測試頻率：約0.5HZ；電壓近似線性上升率"

高壓伏安特性

1. 阻斷電壓：200—8000V±3%±10V

2. 電壓分辨率：0.01KV

3. 正反向漏電流：1—250mA±3%±0.1mA

4. 正反向漏電流分辨率：0.1mA

5. 顯示阻斷特性曲線，設(shè)備有輸出電壓和電流保護(hù)功能

6. 測試頻率：5或50HZ

7. 電壓調(diào)節(jié)：手動調(diào)節(jié)計算機(jī)顯示阻斷電壓和漏電流數(shù)值

門極觸發(fā)特性

1. 陽極電壓：12V

2. 陽極串聯(lián)電阻：12Ω

3. 門極觸發(fā)電壓：0.3—5.00V±5%±10mV

4. 門極觸發(fā)電流：1—500mA±5%±1mA

5. 測試頻率：單次計算機(jī)顯示VGT、IGT數(shù)值

擎住電流

1. 陽極電壓：12V

2. 擎住電流：5—1000mA±5%±1mA

3. 計算機(jī)顯示：IL數(shù)值

維持電流

1. 陽極電壓：12V

2. 維持電流：1—500mA±5%±1mA

3. 測試頻率：單次預(yù)導(dǎo)通電流：約10A、20A和40A三檔

4. 計算機(jī)顯示：IH數(shù)值

關(guān)斷時間及恢復(fù)電荷

1. 通態(tài)電流：200—2000A±5%（數(shù)碼設(shè)定）

2. 脈寬4Ms

3. 反向電壓：50—200V

4. 反向設(shè)定電壓靜態(tài)精度±5%（數(shù)碼設(shè)定）

5. 再加電壓：500—3000V

6. 再加電壓靜態(tài)設(shè)定精度±5%（數(shù)碼設(shè)定）

7. 關(guān)斷時間：4—1500μS±5%±1μS

8. 反向恢復(fù)電荷：大于200μQ—15000μQ±5%±50μQ

9. 重復(fù)性：快速晶閘管±50μQ；普通晶閘管±100μQ

10. 再加電壓上升率：30V/μS、50V/μS、100V/μS三檔

11. ±10%再加電壓在1000V（負(fù)載電容2.2nF）下作為考核點

12. 電壓上升率按指數(shù)法計算

13. 反向電流di/dt：10A/μS、20A/μS，精度±15%，電流在 1500A下作為考核點。

14. 測試頻率：約0.5HZ

15. 配有電壓電流的校驗程序（僅供校驗用）"

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