產(chǎn)品詳情
不過因?yàn)樯疃群軠\，一般還是簡(jiǎn)單認(rèn)定大部份離子是攙雜在表面上日本HD驅(qū)動(dòng)直聯(lián)諧波CSF-11-50-2XH-F，然后進(jìn)一步利用驅(qū)入（drive-in）來調(diào)整濃度分布，并對(duì)離子撞擊過的區(qū)域，進(jìn)行結(jié)構(gòu)之修補(bǔ)。基本上，其為一低溫制程，故可直接用光阻來定義植入的區(qū)域。
(五)化學(xué)日本HD驅(qū)動(dòng)直聯(lián)諧波CSF-11-50-2XH-F氣相沉積(ChemicalVaporDeb；CVD)
到目前為止，只談到以高溫爐管來進(jìn)行二氧化硅層之成長(zhǎng)。至于其它如多晶硅(poly-silicon)、氮化硅(silicon-nitride)、鎢或銅金屬等薄膜材料，要如何成長(zhǎng)堆棧至硅晶圓上？
基本上仍是采用高溫爐管，只是因著不同的化學(xué)沉積過程日本HD驅(qū)動(dòng)直聯(lián)諧波CSF-11-50-2XH-F，有著不同之工作溫度、壓力與反應(yīng)氣體，統(tǒng)稱為「化學(xué)氣相沉積」。
