產(chǎn)品詳情
這是失配隨著外延生長過程逐漸傳播開來,一直到達晶體表面哈默納科晶體加工諧波CSF-11-30-2A-R,成為區(qū)域性缺陷,這就是外延層錯。防止外延層錯,外延前先將襯底在外延爐反應室內(nèi)進行HCl氣相拋光,提高氫氣濃度,控制好外延生長溫度和速率等都是行之有效的方法。單位面積內(nèi)的層錯數(shù)量為層錯密度。將外延片在按比例配成的二氧化鉻、HF水溶液中腐哈默納科晶體加工諧波CSF-11-30-2A-R蝕后,置于顯微鏡下觀測,就能測出層錯密度。
表面缺陷通過肉眼和顯微鏡可以直接觀察到,主要有劃痕、哈默納科晶體加工諧波CSF-11-30-2A-R霧狀、角錐體、乳突、星形缺陷、小丘和雪球、麻坑、彎曲、圖形漂移和畸變等,主要形成原因是操作不當,環(huán)境不潔、襯底制備不良、生長條件不適當?shù)龋捎孟鄬Υ胧┘纯山档蛯渝e密度。