產(chǎn)品詳情
外延系統(tǒng)裝置包括:氣體分配及控制系統(tǒng)、哈默納科外延裝置諧波CSF-11-30-2A-R加熱和測(cè)溫裝置、反應(yīng)室、廢氣處理裝置。
工藝過(guò)程包括:
(1) 襯底和基座處理:襯底處理主要是為了去除襯底圓片表面氧化哈默納科外延裝置諧波CSF-11-30-2A-R層及塵粒,沖洗干燥后放入石墨基座內(nèi)。對(duì)于已經(jīng)用過(guò)的石墨基座應(yīng)預(yù)先經(jīng)過(guò)HCl腐蝕,去除前次外延留在上面的硅。
(2) 摻雜劑配制:摻雜劑有氣態(tài)源,如磷烷PH3,烷B2H6等;液態(tài)源如POCl3、BBr3等,不同的器件對(duì)外延層電阻率及導(dǎo)電類型要求不同,必須根據(jù)電阻率精確控制摻雜源的用量。
外延生長(zhǎng):主要程序?yàn)椋貉b爐——通氣,先通氮?dú)庠偻錃狻郎亍?strong>哈默納科外延裝置諧波CSF-11-30-2A-R—襯底熱處理或HCl拋光——外延生長(zhǎng)——?dú)錃鉀_洗——降溫——氮?dú)鉀_洗。當(dāng)基座溫度降到300℃以下時(shí)開(kāi)爐取片